低温宽频介电测量系统

低温宽频介电测量系统当通过LCR Meter或者分析仪（Agilent/Keysight 4284A, E4980A,4294A）测量介电常数时，加载电压通常1V左右；然而，很多压电陶瓷（PZT）和高分子（PVDF）对于加载的电场具有非线性响应；通常它们的介电常数和损耗因子在高压下变得更低。

非线性介电响应：
      -当通过LCR Meter或者分析仪（Agilent/Keysight 4284A, E4980A,4294A）测量介电常数时，加载电压通常1V左右；然而，很多压电陶瓷（PZT）和高分子（PVDF）对于加载的电场具有非线性响应；通常它们的介电常数和损耗因子在高压下变得更低。
      -在很多应用中，例如电容器和驱动器，介电层>10V/um或者100V/um的高电场下工作，它们的有效介电常数和损耗tanδ是非常不用于普通LCR Meter和阻抗分析仪的测量值@1Vrms。
      -在介电测试过程中直接加载一个高压信号，如果样品突然发生介电击穿，这对于昂贵的LCR Meter有很大的损坏风险。

因此美国Polyk Technologies公司研发了此款宽频谱介电测量系统，有效的避免了上述问题的发生。

低温宽频介电测量系统

技术规格：
1）大电压：±4000V；
2）大电流：±20mA；
3）频率范围：100Hz to 1MHz；
4）电容范围：100pF to 100nF；
5）温度范围：-184℃ to 250℃；

6）温度控制腔室：-75℃ to 200℃，无需液氮；（可选）

7）温度控制腔室：室温 to 1000℃；（可选）
8）宽频范围：20 Hz to 1 MHz or 110 MHz, or 0.01 Hz to 1 MHz(与配备的阻抗分析仪相关);（可选）
9）Large AC信号单元；（可选）