热激活延迟荧光(TADF)材料作为有机发光二极管(OLED)发射层是具有很大前景的材料,其主要优点是通过将非辐射三重态转换为辐射单重态,使OLED的内量子效率达到*。除了具有系统间反向交叉率高(控制三重态转换)的重要性外,最小化非辐射衰变过程对于实现高效率也非常重要。在这项研究中,我们提供了一种新方法,不仅可以量化TADF过程中涉及的最重要衰减率,还可以从瞬态和稳态实验光学数据中分别量化单重态和三重态的非辐射衰减率。此外,还研究了两种非辐射衰变方式对内量子效率的不同贡献。最后,将该方法应用于两种TADF材料的实验数据。
ELQY/PLQYs 对 knrad,s/t 和种群的依赖性
在本节中,我们将分析 PLQY 和 ELQY 与 knrs 和 knrt的依赖关系。分析的关键点是,非辐射衰变事件的速率定义为速率常数与总体之间的乘积,分别为 knrs 或 knrt。在 TADF OLEDs 中,三重态的数量通常比单重态的数量大得多,因此,相对于 knrs,knrt 会产生更多的非辐射衰变事件。此外,正如我们已经看到的,在光学和电激发情况下的稳态种群是不同的,因此非辐射衰变事件的数量也会发生变化。换句话说,通过光激发对发光量子产率的主流分析得出的结论可能会产生误导,并且 OLED 显示器和照明应用中存在的电激发将受到非辐射衰减率的实际值的更大影响。
本节传递的主要信息是:假设对某个 PLQY 进行了实验测量,预计 ELQY 的值是多少?
为了回答这个问题,我们假设 PLQY 是已知的,并且根据表1中的 PLQY 公式,我们计算出导致该 PLQY 值的非辐射衰减率。随后,使用找到的速率计算 ELQY。在此分析中,我们假设 kf, kisc, krisc 是已知的。