kSA 400 RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合新的硬件和软件，为客户提供丰富的RHEED分析信息。

kSA 400 RHEED分析系统 超过500个用户，国内如南京大学、中科院半导体所、电子部11所、中国科技大学、复旦大学、上海技术物理研究所等；

技术参数：

  • CCD系统：高速、高分辨和高灵敏度三种可选
  • 光学系统：RHEED定量分析及成像分析
  • 标准接口法兰

主要特点：
  • 图像分析：单一图像分析（静态分析）模式，用户选择多图像模式，聚焦模式，扫描模式，录像模式，交互图像叠加模式，2D和3D图像分析；
  • 实时衍射条纹演化监控拍摄；
  • 实时薄膜沉积速率测量；
  • 原位表面诊断分析
  • 软件分析功能
  • RHEED振荡追踪检测
  • 可扩展：Phase Locked Epitaxy (PLE), LEED, Auger/XPS,电子枪控制和摇摆曲线扫描；

专业的RHEED分析系统(kSA 400 Analytical RHEED System)，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合新的硬件和功能强大的软件为客户提供广泛的RHEED分析信息。kSA 400 RHEED分析系统，适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等）！目前第四代系统结合新的硬件和软件，为客户提供丰富的RHEED分析信息。

 实际应用广泛，欢迎广大新老客户咨询，我们会竭力为您解决问题。期待我们能成为朋友，能为您的科研事业尽到微薄之力，我们倍感荣幸。同时感谢广大用户对我们一直的支持。谢谢！