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牛津大学Henry J. Snaith教授团队通过研究表明，Voc缺陷是由钙钛矿和ETL界面处较差的能带排列引起的。另外通过漂移扩散模拟，移动离子阻碍电荷提取，可导致Jsc损失。

在这篇文章中，团队将理论和实验方法相结合，以了解和减少宽带隙Br-rich钙钛矿pin器件在开路电压（Voc）和短路电流（Jsc）条件下的损耗。内部准费米能级分裂（QFLS）和外部Voc之间的失配对这些器件是有害的。

用guanidinium-Br和imidazolium-Br修饰钙钛矿顶表面在n-界面形成低维钙钛矿相，可抑制QFLS-Voc失配，并提高Voc。同时，在p界面使用离子夹层或自组装单层可减少由移动离子在Jsc引导的推断场屏蔽，促进了电荷提取并提高了Jsc。n型和p型优化的结合能够接近钙钛矿吸收层的热力学潜力，从而产生1cm²的器件，Vocs的性能参数高达1.29 V、 填充因子超过80%，Jscs高达17mA/cm²，在85°C时，T80的热稳定性寿命超过3500h。

研究团队使用 Setfos模拟仿真软件 证明，由于在钙钛矿界面处有更强的电场，空穴传输层增强了电荷提取。

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文献信息

Open-circuit and short-circuit loss management in wide-gap perovskite p-i-n solar cells